量子阱器件应用和发展

论文编号:WLX029  字数:11640,页数:20

摘  要
   量子阱器件是指采用量子阱材料作为有源区的光电子器件，材料生长一般是采用MOCVD外延技术。量子阱有着酷似三明治的结构，中间是很薄的一层半导体膜，外侧是两个隔离层。用激光朝量子阱照射一下，可以使中间的半导体层里产生电子和带正电的空穴 。本文主要介绍化合物半导体量子阱器件的发展历史和一些常见应用，在其中又着重介绍了量子阱器件在激光器，光开关，光调制器方面的应用，并描述了其在各方面的发展状况和前景。

关键词：量子阱 半导体激光器  光开关 光调制器

Abstract
  The quantum pitfall component is refers to the photoelectron component uses quantum pitfall material achievement to have the source area , the material grows is generally uses the MOCVDextension technology. Quantum pitfall has the structure like sandwich ,middle is a very thin semiconductor membrane,and the flank is two insulating layers.Shines with the laser toward the quantum pitfall,can cause the semiconductor level in the middle to produce electronic and th belt positive electricity hole. This article are main introduction compound semiconductor quantum pitfall component's historical development and some common applications, in also emphatically introduced the quantum pitfall component in the laser, light switch, light modulator aspect's application, and described it in various aspects development condition and the prospect.

Keywords : Quantum pitfall  Semiconductor laser   Light switch  Light modulator

目    录
中文摘要 i
英文摘要 ii
第一章 绪论 iii
    1.1 量子阱概述 1
1.2 量子阱发展史 2
第二章 量子阱工作原理 3
2.1 量子阱原理 3
2.2基于量子阱的多态晶体管原理 6
第三章 量子阱应用 7
3.1量子阱在各个领域的应用 7
    3.1.1 量子阱在半导体激光器方面的应用 7
    3.1.2 量子阱在光开关方面的应用 9
第四章 量子阱应用前景及国内外研究状况 10
4.1 半导体激光器在实际中的具体应用 10
    4.11 量子阱激光器的优势 10
4.12量子阱半导体激光器的应用 11
4.2量子阱的国内外研究状况 12
4.2.1量子阱材料的国内外研究状况 12
4.2.2 GaN系量子阱器件的国内外研究状况 14
第五章 结论 15
致谢 16
参考文献 17

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